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DMTH8012LPSW	文件：525.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：525.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH8012LPSW-13	文件：525.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：525.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMTH8012LPSW	文件：300 bytes Page：1 Pages	80V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliableand Robust End Application\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nAdditional Tin-plated on Side;	Diodes 美台半导体	Diodes
EH8012ZI	文件：80.15 Kbytes Page：2 Pages	3 PHASE BRIDGE MODULES 文件：80.15 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
EPF8012GM	文件：32.93 Kbytes Page：1 Pages	High Speed LAN Interface Module 文件：32.93 Kbytes 页数：1 Pages	PCA	PCA
EPF8012M	文件：32.93 Kbytes Page：1 Pages	High Speed LAN Interface Module 文件：32.93 Kbytes 页数：1 Pages	PCA	PCA

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
80 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.3 A
PD @ TA = +25°C：
3.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
17 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
23.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
15 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
34 nC
Packages：
PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q)

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