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DMT6018LDR

DUAL N CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMT6018LDR-13

DUAL N CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMT6018LDR-7

DUAL N CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMT6018LDR

DUAL N CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low  On-Resistance\nLow  Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N+N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    60 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    8.8 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.9 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    17 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    26 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    6.2 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    13.9 nC

  • Packages:

    V-DFN3030-8 (Type H)

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更多DMT6018LDR供应商 更新时间2025-10-10 9:04:00