首页>DMT6018LDR>规格书详情
DMT6018LDR数据手册Diodes中文资料规格书
DMT6018LDR规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
特性 Features
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
应用 Application
Power Management Functions
Analog Switch
技术参数
- 制造商编号
：DMT6018LDR
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N+N
- ESD Diodes
：No
- VDS
：60 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：8.8 A
- PD @ TA = +25°C
：1.9 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：17 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：26 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：3 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：6.2 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：13.9 nC
- Packages
：V-DFN3030-8 (Type H)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
3335 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
25+ |
V-DFN3030-8 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
1942+ |
QFN |
9852 |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
V-DFN3030-8(TypeH) |
90000 |
正规代理渠道假一赔十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Diodes(美台) |
2511 |
标准封装 |
12000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
VDFN30308 |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Diodes |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
