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DMT6015LFVW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production— Ensures More Reliable and Robust End Application\n•Low On-Resistance\n•Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\n•Wettable Flank for Improved Optical Inspection\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT6015LPS	文件：545.01 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.01 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6015LSS	文件：451.5 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：451.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DTS6015	文件：288.16 Kbytes Page：2 Pages	0.1 TO 6.0 GHz THRESHOLD DETECTOR 文件：288.16 Kbytes 页数：2 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
16 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10 A
PD @ TA = +25°C：
2.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
15.7 nC
Packages：
PowerDI3333-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	DMT6015LFVW-7	NK/南科功率	2025+	DFN3333	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	DMT6015LFVW-7	DIODES/美台	2511	DFN3.3x3.3	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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更多DMT6015LFVW供应商更新时间2025-12-11 14:01:00

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