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DMT6015LPS	文件：545.01 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.01 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6015LPS-13	文件：545.01 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.01 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6015LPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch. Thermally Efficient Package – Cooler Running Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\n<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications\nESD Protected Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT6015LSS	文件：451.5 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：451.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DTS6015	文件：288.16 Kbytes Page：2 Pages	0.1 TO 6.0 GHz THRESHOLD DETECTOR 文件：288.16 Kbytes 页数：2 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE
EM6015-BC	文件：201.19 Kbytes Page：1 Pages	Omnidirectional Back Electret Condenser Microphone 文件：201.19 Kbytes 页数：1 Pages	SOBERTON	SOBERTON

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
24 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.9 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
18.9 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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更多DMT6015LPS供应商更新时间2025-10-13 14:18:00

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