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DMT6015LFV	文件：519.159 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：519.159 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMT6015LFV-13	文件：519.159 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：519.159 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMT6015LFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized\nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\nOccupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT6015LFVW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production— Ensures More Reliable and Robust End Application\n•Low On-Resistance\n•Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\n•Wettable Flank for Improved Optical Inspection\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
16 ±V
IDS @ TA = +25°C：
9.5 A
PD @ TA = +25°C：
2.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.9 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
18.9 nC
Packages：
PowerDI3333-8 (Type UX)

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