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DMT10H009LCG	文件：505.41 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch.  Backlighting  Power Management Functions  DC 文件：505.41 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H009LCG-13	文件：505.41 Kbytes Page：7 Pages	丝印：T89；Package：V-DFN3333-8；100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch.  Backlighting  Power Management Functions  DC 文件：505.41 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H009LCG-7	文件：505.41 Kbytes Page：7 Pages	丝印：T89；Package：V-DFN3333-8；100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch.  Backlighting  Power Management Functions  DC 文件：505.41 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT10H009LCG	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch. •100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\n•High Conversion Efficiency\n•Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
12.4 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
8.8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
12.9 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
20.2 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
V-DFN3333-8

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中天科工半导体（深圳）有限公司	DMT10H009LCG-7	DIODES/美台	20+	SMD	88800	DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	DMT10H009LCG-7	DIODES(美台)	2447	V-DFN3333-8	105000	2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
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更多DMT10H009LCG供应商更新时间2025-12-1 14:14:00

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