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DMT10H009LCG	文件：505.41 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisnewgenerationN-ChannelEnhancementModeMOSFETisdesignedtominimizeRDS(ON)andyetmaintainsuperiorswitchingperformance.Thisdeviceisidealforuseinnotebookbatterypowermanagementandloadswitch. Backlighting PowerManagementFunctions DC	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT10H009LCG-13	文件：505.41 Kbytes Page：7 Pages	丝印：T89；Package：V-DFN3333-8；100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisnewgenerationN-ChannelEnhancementModeMOSFETisdesignedtominimizeRDS(ON)andyetmaintainsuperiorswitchingperformance.Thisdeviceisidealforuseinnotebookbatterypowermanagementandloadswitch. Backlighting PowerManagementFunctions DC	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT10H009LCG-7	文件：505.41 Kbytes Page：7 Pages	丝印：T89；Package：V-DFN3333-8；100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisnewgenerationN-ChannelEnhancementModeMOSFETisdesignedtominimizeRDS(ON)andyetmaintainsuperiorswitchingperformance.Thisdeviceisidealforuseinnotebookbatterypowermanagementandloadswitch. Backlighting PowerManagementFunctions DC	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT10H009LFG	文件：481.66 Kbytes Page：7 Pages	100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Applications •SynchronousRectifier •Backlighting •PowerManagementFunctions •DC-DCCon	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT10H009LSS	文件：466.99 Kbytes Page：7 Pages	100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitideal forhigh-efficiencypowermanagementapplications. HighFrequencySwitching SynchronousRectification DC-DCConverters Feat	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMT10H009SSS	文件：364.3 Kbytes Page：7 Pages	100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FeaturesandBenefits •HighConversionEfficiency •LowRDS(ON)—MinimizesOn-StateLosses •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) DescriptionandApplications ThisMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMTH10H009LFG	文件：399.02 Kbytes Page：7 Pages	100V175°CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Applications •SynchronousRectifier •Backlighting •PowerManagementFunctions •DC-DCConvert	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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