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DMT10H009LCG中文资料100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMT10H009LCG规格书详情
描述 Description
This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch.
特性 Features
•100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production
•High Conversion Efficiency
•Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses
•Low Input Capacitance
•Fast Switching Speed
应用 Application
•Backlighting
•Power Management Functions
•DC-DC Converters
技术参数
- 制造商编号
：DMT10H009LCG
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：No
- VDS
：100 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：12.4 A
- PD @ TA = +25°C
：2.1 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：8.8 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：12.9 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：2.5 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：20.2 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：V-DFN3333-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
21+ |
V-DFN3333-8 |
10000 |
原装,品质保证,请来电咨询 |
询价 | ||
DIODESINC |
21+ |
NA |
1773 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
88800 |
DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
POWERDI3333-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
V-DFN3333-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
POWERDI3333-8 |
7000 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
23+ |
V-DFN3333-8 |
8080 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
V-DFN3333-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 |
