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DMPH4015SK3	文件：408.1 Kbytes Page：7 Pages	175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：408.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH4015SK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	175°C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nLow On-resistance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMPH4015SK3-13	文件：408.1 Kbytes Page：7 Pages	175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：408.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH4015SK3Q	文件：583.02 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：583.02 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH4015SK3Q-13	文件：583.02 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：583.02 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH4015SK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	175°C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported by a PPAP. •Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n•100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\n•Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMPH4015SK3Q
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
25 ±V
IDS @ TA = +25°C：
14 A
PD @ TA = +25°C：
3.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
11 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
15 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
42.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
91 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMPH4015SK3供应商更新时间2025-12-10 11:00:00

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