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DMPH4015SK3Q	文件：583.02 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：583.02 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH4015SK3Q-13	文件：583.02 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：583.02 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH4015SK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	175°C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported by a PPAP. •Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n•100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\n•Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP4015SK3	文件：272.56 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：272.56 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4015SK3	文件：310.43 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：310.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMP4015SK3Q	文件：571.48 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：571.48 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
25 ±V
IDS @ TA = +25°C：
14 A
PD @ TA = +25°C：
3.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
11 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
42.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
91 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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