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DMPH3010LK3Q	文件：388.47 Kbytes Page：7 Pages	175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：388.47 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH3010LK3Q-13	文件：388.47 Kbytes Page：7 Pages	175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：388.47 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMPH3010LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	175°C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported up by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nLow On-resistance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3010LK3	文件：286.35 Kbytes Page：6 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：286.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3010LK3	文件：310.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMNH3010LK3	文件：536.24 Kbytes Page：7 Pages	175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：536.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
16 A
PD @ TA = +25°C：
3.9 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
7.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
66 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
139 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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