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DMNH3010LK3	文件：536.24 Kbytes Page：7 Pages	175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：536.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH3010LK3	文件：310.15 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMNH3010LK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nLow On-Resistance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMNH3010LK3-13	文件：536.24 Kbytes Page：7 Pages	175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：536.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
15 A
PD @ TA = +25°C：
3.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
9.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
11.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
16.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
37 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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更多DMNH3010LK3供应商更新时间2026-2-3 15:01:00

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