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DMP6110SSDQ	文件：457.93 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Engine Management Systems  Body Control Electronics  DC-DC Converters Features  Low On-Resist 文件：457.93 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP6110SSDQ-13	文件：457.93 Kbytes Page：8 Pages	丝印：P6110SD；Package：SO-8；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Engine Management Systems  Body Control Electronics  DC-DC Converters Features  Low On-Resist 文件：457.93 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP6110SSDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP6110SSS	文件：286.29 Kbytes Page：6 Pages	60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：286.29 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP6110SSSQ	文件：508.39 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：508.39 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP6110SVT	文件：332.99 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：332.99 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.3 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
105 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
130 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.2 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
17.2 nC
Packages：
SO-8

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