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DMP6110SVT	文件：332.99 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：332.99 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP6110SVT-13	文件：332.99 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：332.99 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP6110SVT-7	文件：332.99 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：332.99 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP6110SVTQ	文件：623.59 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：623.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMP6110SVTQ-7	文件：623.59 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：623.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP6110SVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate\nresistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching\nperformance, making it ideal for high efficiency power management\napplications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMP6110SVTQ
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.3 A
PD @ TA = +25°C：
1.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
105 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
130 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.2 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
17.2 nC
Packages：
TSOT26

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