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DMP4025LK3	文件：260.32 Kbytes Page：8 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：260.32 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4025LK3	文件：310.29 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：310.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMP4025LK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance\nand yet maintain superior switching performance, making it ideal for\nhigh efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP4025LK3_15	文件：260.32 Kbytes Page：8 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：260.32 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4025LK3-13	文件：260.32 Kbytes Page：8 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：260.32 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4025LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\n•PPAP Available (Note 4);	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8.6 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
25 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
45 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.8 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
33.7 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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更多DMP4025LK3供应商更新时间2025-10-10 17:06:00

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