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DMP32D4SW_15	文件：243.34 Kbytes Page：6 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：243.34 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP32D4SW-13	文件：244.47 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：244.47 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP32D4SW-7	文件：244.47 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：244.47 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP32D4S	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 30V Pch MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance and ESD Protected Gate, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP32D4SFB	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 30V Pch MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching\nperformance and ESD Protected Gate, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP32D4SW	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 30V P-Channel MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching\nperformance and ESD Protected Gate, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.3 A
PD @ TA = +25°C：
0.37 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2400 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
16000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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中天科工半导体（深圳）有限公司	DMP32D4S	DIODES/美台	25+	SOT23	20300	DIODES/美台原装特价DMP32D4S即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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