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DMP32D4S	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; This new generation 30V Pch MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance and ESD Protected Gate, making it ideal for high efficiency power management applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMP32D4S	文件：329.82 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP32D4S_15	文件：335.45 Kbytes Page：6 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP32D4S-13	文件：335.45 Kbytes Page：6 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP32D4S-13	文件：329.82 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP32D4S-7	文件：335.45 Kbytes Page：6 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP32D4S-7	文件：329.82 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP32D4SFB	文件：238.15 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP32D4SFB_15	文件：238.15 Kbytes Page：6 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP32D4SFB-7B	文件：238.15 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.3 A
PD @ TA = +25°C：
0.37 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2400 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
16000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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