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DMP3056LDM	文件：141.76 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low Gate Threshold Voltage • Low On-Resistance • Totally Lead-F 文件：141.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LDM-7	文件：141.76 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low Gate Threshold Voltage • Low On-Resistance • Totally Lead-F 文件：141.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LDM	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP3056LSD	文件：178.37 Kbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold 文件：178.37 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LSDQ	文件：408.66 Kbytes Page：6 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltag 文件：408.66 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LSS	文件：176.99 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • 45mΩ @ VGS = -10V • 65mΩ @ VGS = -4.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3 文件：176.99 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5 A
PD @ TA = +25°C：
1.25 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
45 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13.7 nC
Packages：
SOT26 (SC74R)

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