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DMP3056LSS_15	文件：176.99 Kbytes Page：4 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：176.99 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LSS_17	文件：600.76 Kbytes Page：6 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：600.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LSS-13	文件：600.76 Kbytes Page：6 Pages	SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：600.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056L	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP3056LSDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. •Dual P-Channel MOSFET\n•Low On-Resistance\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed \n•Low Input/Output Leakage\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device\n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\n•PPAP Capa;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP3056LSD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
25 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.3 A
PD @ TA = +25°C：
1.38 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
70 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
11.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
5.8 nC
Packages：
SOT23

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