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DMP3028LK3	文件：450.19 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：450.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3028LK3	文件：309.79 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：309.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMP3028LK3_15	文件：450.19 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：450.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3028LK3-13	文件：450.19 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：450.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3028LK3Q	文件：437.76 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：437.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3028LK3Q-13	文件：437.76 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：437.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3028LK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The AP22800 is an integrated N-channel load switch, which features an adjustable ramp-up and discharge rate that are settable via an external capacitor and a resistor, respectively. In addition, it incorporates a ‘power good’ output to flag when the switch is enhanced. The N-channel MOSFET has a typ	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP3028LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported by a PPAP. 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test In Production\nLow On-Resistance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
27 A
PD @ TA = +25°C：
2.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
38 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
11 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
22 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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更多DMP3028LK供应商更新时间2026-4-9 11:01:00

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