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DMP2104LP	文件：311.11 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • P-Channel MOSFET • Very Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • Green Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q1 文件：311.11 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2104LP_15	文件：324.04 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：324.04 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2104LP	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP2104V	文件：231.54 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Very Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • 文件：231.54 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2104V	文件：238.22 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：238.22 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2104V-TP	文件：1.87615 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Application © Notebook © Load Switch © Networking © Hand-held Instruments 文件：1.87615 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.5 A
PD @ TA = +25°C：
0.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
150 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
240 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X1-DFN1411-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMP2104LP供应商更新时间2025-10-12 15:01:00

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