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DMP1011UCB9	文件：457.3 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：457.3 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1011UCB9	文件：454.21 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：454.21 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1011UCB9	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This 3rd generation Lateral MOSFET (LD-MOS) is engineered to minimize on-state losses and switch ultra-fast, making it ideal for high efficiency power transfer. It uses Chip-Scale Package (CSP) to increase power density by combining low thermal impedance with minimal RDS(on) per footprint area. LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: RDS(on) = 8.2mΩ to Minimize On-State Losses Qg = 8.1nC for Ultra-Fast Switching\nVgs(th) = -0.8V typ. for a Low Turn-On Potential\nCSP with Footprint 1.5mm × 1.5mm\nHeight = 0.60mm for Low Profile\nESD = 6kV HBM Protection of Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP1011UCB9_17	文件：454.21 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：454.21 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1011UCB9-7	文件：457.3 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：457.3 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1011UCB9-7	文件：454.21 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：454.21 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
8 V
VGS：
6 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10 A
PD @ TA = +25°C：
1.57 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
14 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-WLB1515-9 (Type B)

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