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DMNH6042SK3	文件：402.91 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：402.91 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6042SK3	文件：310.19 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMNH6042SK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow On-Resistance\nLow Input Capacitance;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMNH6042SK3-13	文件：402.91 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：402.91 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6042SK3Q	文件：356.81 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：356.81 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6042SK3Q-13	文件：356.81 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：356.81 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6042SK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported up by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow On-Resistance\nLow Input Capacitance;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMNH6042SK3Q
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
3.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
4.2 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
8.8 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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