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DMNH6008SCTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application \nLow Input Capacitance\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMNH6008SCTQ	文件：597.46 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance 文件：597.46 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6008SPS	文件：657.08 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：657.08 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6008SPSQ	文件：512.309 Kbytes Page：7 Pages	Fast Switching Speed 文件：512.309 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT6008LFG	文件：275.7 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：275.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
40 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
21 nC
Packages：
TO220AB

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更多DMNH6008SCTQ供应商更新时间2025-10-11 14:03:00

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