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DMNH4011SK3	文件：545.68 Kbytes Page：6 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.68 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4011SK3	文件：309.73 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMNH4011SK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Rated to +175°C – ideal for high ambient temperature environments\nLow On-Resistance\nLow Input Capacitance\nLead-Free Finish; RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMNH4011SK3-13	文件：545.68 Kbytes Page：6 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.68 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4011SK3Q	文件：493.88 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：493.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4011SK3Q-13	文件：493.88 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：493.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4011SK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application \nLow On-Resistance\nLow Input Capacitance;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMNH4011SK3Q
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
25.5 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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