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DMNH4006SK3	文件：477 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：477 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4006SK3	文件：652.6 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：652.6 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4006SK3	文件：310.08 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMNH4006SK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMNH4006SK3_17	文件：477 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：477 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4006SK3-13	文件：652.6 Kbytes Page：7 Pages	40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：652.6 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4006SK3-13	文件：477 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：477 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4006SK3Q	文件：498.23 Kbytes Page：7 Pages	Low Qg ??Minimizes Switching Loss 文件：498.23 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4006SK3Q-13	文件：498.23 Kbytes Page：7 Pages	Low Qg ??Minimizes Switching Loss 文件：498.23 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMNH4006SK3Q
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
18 A
PD @ TA = +25°C：
3.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
51 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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