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DMN66D0LDW	文件：181.28 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. • Load Switches Features and Benefits • Dual N-Channel MOS 文件：181.28 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN66D0LDW-7	文件：181.28 Kbytes Page：4 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. • Load Switches Features and Benefits • Dual N-Channel MOS 文件：181.28 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN66D0LDWQ	文件：630.25 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：630.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN66D0LDWQ-13	文件：630.25 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MN1；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：630.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN66D0LDWQ-7	文件：630.25 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MN1；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：630.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN66D0LDW_15	文件：233.05 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：233.05 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN66D0LDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN66D0LDWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •Dual N-Channel MOSFET\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Fast Switching Speed\n•ESD Protected Gate\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•The DMN66D0LDWQ is suitable for automotive applicationsrequiring specific change control; this part is AEC-Q101qualified, PPAP capable, and manufactured in I;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.115 A
PD @ TA = +25°C：
0.25 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
5000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN66D0LDW供应商更新时间2025-10-14 10:50:00

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