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DMN66D0LDW-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. • Load Switches Features and Benefits • Dual N-Channel MOS

文件:181.28 Kbytes 页数:4 Pages

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美台半导体

DMNH4006SPSQ-13

PowerDI 5060-8

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上传:深圳市宝芯创电子有限公司

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美台半导体

上传:深圳市宝芯创电子有限公司

DMP2022LSSQ-13

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美台半导体

上传:深圳市宏誉半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    DMN66D0LDW-7

  • 功能描述:

    MOSFET 250mW 60Vdss

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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