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DMN63D8LV	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：172.77 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8LV_15	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：172.77 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8LV-13	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：172.77 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8LV-13	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：172.77 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8LV-7	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：172.77 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8LV-7	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：172.77 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8LW	文件：461.61 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：461.61 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8LW-13	文件：461.61 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：461.61 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8LW-7	文件：461.61 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：461.61 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nESD Protected Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.35 A
PD @ TA = +25°C：
0.52 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2800 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
13000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.43 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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更多DMN63D8L供应商更新时间2025-10-8 15:01:00

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