DMN63D8L中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN63D8L规格书详情
描述 Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
特性 Features
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
ESD Protected Gate
应用 Application
Motor Control
Power Management Functions
Backlighting
技术参数
- 制造商编号
：DMN63D8L
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：30 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：0.35 A
- PD @ TA = +25°C
：0.52 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：2800 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：4200 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：13000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：1.5 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：0.43 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-363-6 |
18555 |
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DIODES/美台 |
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SMD |
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DIODES |
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SOT-323 |
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SOT-363 |
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NA |
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DIODES |
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SOT563 |
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DIODES/美台 |
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SOT-363-6 |
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NA |
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原装 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA |
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询价 |
