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DMN62D4LDW	文件：566.43 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For 文件：566.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D4LDW-13	文件：566.43 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2D4；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For 文件：566.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D4LDW-7	文件：566.43 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2D4；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For 文件：566.43 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D4LDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. •Dual N-Channel MOSFET\n•Low On-Resistance\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•ESD Protected\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•For automotive applications requiring specific ;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.261 A
PD @ TA = +25°C：
0.45 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.51 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
1.04 nC
Packages：
SOT363

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