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DMN62D1SFB	文件：264.75 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：264.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D1SFB_15	文件：264.75 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：264.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D1SFB-7B	文件：264.75 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：264.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D1SFB	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN62D1SFBWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: load switches, portable applications, and power-management functions.\n\n	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.41 A
PD @ TA = +25°C：
0.47 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
1400 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1600 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
1.39 nC
Packages：
X1-DFN1006-3

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