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DMN62D1SFB-7B	文件：264.75 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：264.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D8LV-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT563	DIODES 美台半导体上传：深圳市科芯源微电子有限公司	DIODES
DMN65D8LFb-7B	文件：0 bytes Page：0 Pages	X1-DFN1006-3	DIODES(美台) 上传：深圳市宝芯创电子有限公司	DIODES(美台)
DMNH4006SPSQ-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI 5060-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMP10H4D2S-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	DIODES 美台半导体上传：深圳市宝芯创电子有限公司	DIODES

详细参数

型号：
DMN62D1SFB-7B
功能描述：
MOSFET MOSFET BVDSS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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