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DMN66D0LW	文件：157.47 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Small Surface Mount Package • ESD Protected Gate, 1KV (HBM) • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qu 文件：157.47 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN66D0LW-7	文件：157.47 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Small Surface Mount Package • ESD Protected Gate, 1KV (HBM) • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qu 文件：157.47 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN66D0LW_15	文件：209.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：209.62 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN66D0LW	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.115 A
PD @ TA = +25°C：
0.25 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
5000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN66D0LW供应商更新时间2025-12-23 15:01:00

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