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MBR6040PT	文件：109.2 Kbytes Page：2 Pages	60AmpSchottkyBarrierRectifier30to45Volts Features ·MeatlofSiliconRectifier,MajorityConducton ·Guardringfortransientprotection ·LowForwardVoltageDrop ·HighCurrentCapability,HighEfficiency ·LowPowerLoss	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR6040PT	文件：128.169 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity PlasticpackagehasULflammabi	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR6040PT	文件：427.06 Kbytes Page：2 Pages	60AMPERESSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to100VoltsCURRENT60Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapabili	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR6040PT	文件：65.62 Kbytes Page：3 Pages	60ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MBR6040PT	文件：133.82 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR6040PT	文件：940.61 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures HighefficienctyoperationandLowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std..(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR6040PT	文件：336.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:60A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardr	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK

详细参数

型号：
DMN6040SVT
功能描述：
MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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