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DMN6040SVT	文件：205.27 Kbytes Page：7 Pages	Low Input Capacitance 文件：205.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6040SVT_15	文件：205.27 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：205.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6040SVT-7	文件：205.27 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：205.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6040SVT-7	文件：205.27 Kbytes Page：7 Pages	Low Input Capacitance 文件：205.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6040SVTQ	文件：509.74 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：509.74 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6040SVTQ-13	文件：509.74 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：509.74 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6040SVTQ-7	文件：509.74 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：509.74 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6040SVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 60V N channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld and lighten application.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN6040SVTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nLow Input Capacitance\nLow On-Resistance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN6040SVTQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.3 A
PD @ TA = +25°C：
1.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
44 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
60 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
22.4 nC
Packages：
TSOT26

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