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DMN601VKQ	文件：366.05 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Gr 文件：366.05 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601VKQ-7	文件：366.05 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Gr 文件：366.05 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601VKQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Dual N-Channel MOSFET\nLow On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed \nLow Input/Output Leakage\nUltra-Small Surface Mount Package;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN601WK	文件：141.13 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance: RDS(ON) • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualifi 文件：141.13 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601WK	文件：153.84 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：153.84 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN601WKQ	文件：488.76 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance: RDS(ON) • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualifi 文件：488.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.305 A
PD @ TA = +25°C：
0.25 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT563

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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