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DMN601VKQ中文资料DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN601VKQ

功能描述

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 8:48:00

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DMN601VKQ规格书详情

特性 Features

Dual N-Channel MOSFET
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Ultra-Small Surface Mount Package

应用 Application

Loadswitch

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN601VKQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Polarity

    :N+N

  • ESD Diodes

    :Yes

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :0.305 A

  • PD @ TA = +25°C

    :0.25 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :2000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :3000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :SOT563

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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