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DMN5L06W-7	文件：130.66 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • “Green” Device (Note 3) 文件：130.66 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6013LFG-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI 3333-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMN6040SSD-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	DIODES/美台上传：深圳市信科微科技有限公司	DIODES/美台
DMN61D8LQ-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-3	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMN61D9UW-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-323(SC-70)	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

详细参数

型号：
DMN5L06W-7
功能描述：
MOSFET N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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