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DMN5L06KQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Low Input/Output Leakage\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\n•PPAP Capable (Note 4);	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN5L06KQ-7	文件：265.84 Kbytes Page：6 Pages	null 文件：265.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06T	文件：139.44 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • “Green” Device (Note 3) 文件：139.44 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06TK	文件：176.41 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • ESD Protected Up To 2kV • Green Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability 文件：176.41 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06TK	文件：182.51 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：182.51 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
IDS @ TC = +25°C：
300 A
PD @ TA = +25°C：
350 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3 mΩ
VGS (th) Max：
1.0 V
CISS Typ：
N/A pF
CISS Condition [@VDS]：
25 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A
Packages：
SOT23

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更多DMN5L06KQ供应商更新时间2025-12-18 13:26:00

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