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DMN5L06TK	文件：176.41 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •ESDProtectedUpTo2kV •GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101standardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN5L06TK	文件：182.51 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN5L06TK-7	文件：176.41 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •ESDProtectedUpTo2kV •GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101standardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN5L06TK_15	文件：182.51 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN5L06V	文件：133.68 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •“Green”Device(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN5L06VA	文件：133.68 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •“Green”Device(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN5L06VAK	文件：158.31 Kbytes Page：5 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnt	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN5L06VK	文件：158.31 Kbytes Page：5 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnt	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN5L06W	文件：130.66 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •N-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •“Green”Device(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN5L06WK	文件：186.04 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
DMN5L06TK
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN5L06TK供应商更新时间2025-5-6 10:50:00

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