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DMN55D0UT	文件：184.67 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • ESD Protected Gate to 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • 文件：184.67 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN55D0UT-7	文件：184.67 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • ESD Protected Gate to 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • 文件：184.67 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN55D0UT_15	文件：152.86 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：152.86 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN55D0UT_16	文件：445.15 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：445.15 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN55D0UT-7	文件：152.86 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：152.86 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN55D0UTQ-7	文件：152.86 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：152.86 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN55D0UT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
50 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.16 A
PD @ TA = +25°C：
0.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
5000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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