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DMN31D4UFZ	文件：721.22 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height  0.62mm x 0.62mm Package Footprint  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：721.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D4UFZ-7B	文件：721.22 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BV；Package：X2-DFN0606-3；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height  0.62mm x 0.62mm Package Footprint  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：721.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D4UFZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
KUWTN-31D4	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT 文件：157.46 Kbytes 页数：6 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM
KUWTN-31D4SLASHQ	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT 文件：157.46 Kbytes 页数：6 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM

技术参数

Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)：
Standard
Polarity：
N
N)：
Y
(V)：
30 V
(±V)：
12 ±V
@TA = +25°C (A)：
0.31 A
PD @TA = +25°C (W)：
0.3 W
RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)：
1500 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)：
2000 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)：
3000 mΩ
Min (V)：
0.4 V
Max (V)：
1 V
= 4.5V (nC)：
0.3 nC
CISS Typ (pF)：
15.4 pF
(V)：
15 V
Packages：
X2-DFN0606-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	DMN31D4UFZ-7B	DIODES(美台)	25+	X2-DFN0606-3	6843	样件支持,可原厂排单订货!	询价
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更多DMN31D4UFZ供应商更新时间2026-1-30 13:28:00

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