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DMN31D4UFZ中文资料N-Channel Enhancement Mode MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN31D4UFZ

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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DMN31D4UFZ规格书详情

描述 Description

This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN31D4UFZ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes (Y|N)

    :Y

  • |VDS| (V)

    :30 V

  • |VGS| (±V)

    :12 ±V

  • |IDS| @TA = +25°C (A)

    :0.31 A

  • PD @TA = +25°C (W)

    :0.3 W

  • RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)

    :1500 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)

    :2000 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)

    :3000 mΩ

  • |VGS(TH)| Min (V)

    :0.4 V

  • |VGS(TH)| Max (V)

    :1 V

  • QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC)

    :0.3 nC

  • CISS Typ (pF)

    :15.4 pF

  • CISS Condition @|VDS| (V)

    :15 V

  • Packages

    :X2-DFN0606-3

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