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DMN30H4D0L

Low Gate Threshold Voltage

文件:383.23 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN30H4D0L_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:383.23 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN30H4D0L-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:383.23 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN30H4D0L-13

Low Gate Threshold Voltage

文件:383.23 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN30H4D0L-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:383.23 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN30H4D0L-7

Low Gate Threshold Voltage

文件:383.23 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN30H4D0LFDE

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:396.4 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN30H4D0LFDE-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:396.4 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN30H4D0LFDE-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:396.4 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMN30H4D0L

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    300 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.25 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.31 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    4000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    4000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    7.6 nC

  • Packages:

    SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
25+
SOT23
20300
DIODES/美台原装特价DMN30H4D0L即刻询购立享优惠#长期有货
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SOT23
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12000
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SOT-23
40000
原厂代理 终端免费提供样品
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30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
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SOT23
995300
原装现货价格优势-含16%增值税
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SOT23
200000
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ROHS+Original
SOT23
25890
原装现货 库存特价/长期供应元器件代理经销
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DIODES/美台
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
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更多DMN30H4D0L供应商 更新时间2025-11-26 17:08:00