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DMN30H4D0L	文件：383.23 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：383.23 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN30H4D0L_15	文件：383.23 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：383.23 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN30H4D0L-13	文件：383.23 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：383.23 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN30H4D0L-13	文件：383.23 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：383.23 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN30H4D0L-7	文件：383.23 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：383.23 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN30H4D0L-7	文件：383.23 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：383.23 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN30H4D0LFDE	文件：396.4 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：396.4 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN30H4D0LFDE-13	文件：396.4 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：396.4 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN30H4D0LFDE-7	文件：396.4 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：396.4 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN30H4D0LFDE	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
300 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.55 A
PD @ TA = +25°C：
0.63 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type E)

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