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DMN30H4D0LFDE

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:396.4 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN30H4D0LFDE-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN30H4D0LFDE-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:396.4 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN30H4D0LFDE

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    300 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.55 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.63 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    4000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    4000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    U-DFN2020-6 (Type E)

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更多DMN30H4D0LFDE供应商 更新时间2025-12-14 14:02:00