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DMN3033LSN

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:143.25 Kbytes 页数:2 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

DMN3033LSN_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:130.13 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3033LSN_16

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:161.25 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3033LSN-7

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.85537 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

DMN3033LSN-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:161.25 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3033LSN-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:135.58 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3033LSNQ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:429.64 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3033LSNQ-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:429.64 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3033LSNQ-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:429.64 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3033LSDQ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\nPPAP Capable;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    DMN3033LSDQ

  • Polarity:

    N+N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    6.9 A

  • PD @ TA = +25°C:

    2 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    22 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    33 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    2.1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    13 nC

  • Packages:

    SO-8

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更多DMN3033供应商 更新时间2026-3-14 13:58:00