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DMN3033LSNQ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN3033LSNQ-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN3033LSNQ-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN3033LSNQ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation Small-Signal enhancement mode MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Gate Charge\nLow RDS(ON)\nLow Input/Output Leakage;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    Yes

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    6 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.4 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    30 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    40 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    2.1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    SC59

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更多DMN3033LSNQ供应商 更新时间2025-10-6 13:28:00