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DMN3012LEG	文件：601.42 Kbytes Page：10 Pages	30V SYNCHRONOUS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.  DC-DC Converters  Power Management Functions Features and 文件：601.42 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3012LEG-13	文件：601.42 Kbytes Page：10 Pages	丝印：E04；Package：PowerDI3333-8；30V SYNCHRONOUS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.  DC-DC Converters  Power Management Functions Features and 文件：601.42 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3012LEG-7	文件：601.42 Kbytes Page：10 Pages	丝印：E04；Package：PowerDI3333-8；30V SYNCHRONOUS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.  DC-DC Converters  Power Management Functions Features and 文件：601.42 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3012LFG	文件：534.16 Kbytes Page：10 Pages	30V SYNCHRONOUS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：534.16 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3012LFG-13	文件：534.16 Kbytes Page：10 Pages	30V SYNCHRONOUS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：534.16 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3012LFG-7	文件：534.16 Kbytes Page：10 Pages	30V SYNCHRONOUS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：534.16 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3012LEG	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V SYNCHRONOUS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\n•Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3012LFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V SYNCHRONOUS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI This new generation MOSFET is designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nLow On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3012LDG	文件：300 bytes Page：1 Pages	mosfets	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
30 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10 A
IDS @ TC = +25°C：
20 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
PD @ TC = +25°C：
2.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1/1.15 V
CISS Typ：
650/1137 pF
CISS Condition [@VDS]：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
4.7/9.7 nC
QG Typ @ VGS = 5V (nC)：
N/A
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
PowerDI3333-8 (Type D)

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