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DMN3008SFG	文件：511.64 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：511.64 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3008SFG_15	文件：249.59 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：249.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3008SFG-13	文件：249.59 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：249.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3008SFG-13	文件：511.64 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：511.64 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3008SFG-7	文件：249.59 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰 文件：249.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3008SFG-7	文件：511.64 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：511.64 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3008SFGQ	文件：520.789 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：520.789 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMN3008SFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN3008SFGQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
17.6 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
4.6 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
5.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
41 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
PowerDI3333-8

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